由于半导体制造是在硅片上加工出各种微观结构，因此除了原始的硅基材料外还需要通过薄膜“加法”引入非硅材料（如非硅介质层、金属层）实现不同功能。除添加新材料外，薄膜工艺还具有隔离保护高活性材料（如Si、Cu），防止污染和腐蚀。薄膜工艺也会承担一部分光阻的职能，常用于产生提高吸光率的减反射膜、硬掩模等。

半导体IC芯片制造工艺

半导体芯片生产主要分为IC设计、IC制造、IC封测三大环节。IC设计主要根据芯片的设计目的进行逻辑设计和规则制定，并根据设计图制作掩模以供后续光刻步骤使用。IC制造实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上，并实现预定的芯片功能，包括光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨等步骤。IC封测完成对芯片的封装和性能、功能测试，是产品交付前的最后工序。

薄膜沉积工艺

集成电路薄膜沉积工艺可分为物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和外延三大类。PVD是指通过热蒸发或者靶表面受到粒子轰击时发生原子溅射等物理过程，实现上述物质原子转移至硅片表面并形成薄膜的技术，多应用于金属的沉积；CVD是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、多晶硅以及金属膜层的沉积；外延是一种在硅片表面按照衬底晶向生长单晶薄膜的工艺。
数据来源：行行查，行业研究数据库 www.hanghangcha.com

薄膜沉积市场现状

薄膜沉积指通过物理或化学等方在基片上沉积各种材料的过程，常见的有物理气相沉积（PVD）、化学沉积（CVD）及原子层沉积（ALD）等各种方法。据Maximize Market Research数据，2017~2020年全球薄膜沉积设备市场规模CAGR为11.2%，2020年达172亿美元，其中PECVD、ALD及溅射PVD为最主要设备，合计占比达63%。

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