刻蚀机的工作原理是按光刻机刻出的电路结构，在硅片上进行微观雕刻，刻出沟槽或接触孔。与薄膜工艺相对应，是微纳加工中重要的“减法工艺”。完整的刻蚀工艺流程分3步：薄膜沉积完成后进行光刻、刻蚀、去胶清洗。

半导体IC芯片制造工艺

半导体芯片生产主要分为IC设计、IC制造、IC封测三大环节。IC设计主要根据芯片的设计目的进行逻辑设计和规则制定，并根据设计图制作掩模以供后续光刻步骤使用。IC制造实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上，并实现预定的芯片功能，包括光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨等步骤。IC封测完成对芯片的封装和性能、功能测试，是产品交付前的最后工序。

刻蚀工艺按反应原理分类

干法刻蚀:把硅片表面暴露于气态中，产生等离子体，等离子体通过光刻胶或掩膜窗口与薄膜发生纯物理或化学反应（或结合），去除暴露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的主要方法。
湿法刻蚀：使用液体化学试剂（如酸、碱和合剂）以化学方式去除表面薄膜材料。湿法刻蚀一般只是在尺寸较大的情况下（大于3 微米）。

数据来源：行行查，行业研究数据库 www.hanghangcha.com

刻蚀设备市场现状

2020年全球刻蚀设备市场规模为136.9亿美元，2022年有望达到183.9亿美元。全球刻蚀设备呈现泛林半导体、东京电子和应用材料三家寡头垄断格局。其中泛林半导体技术实力最强，产品覆盖最为全面，占据46.7%的市场份额；东京电子和应用材料分别占据26.6%和16.7%。我国刻蚀设备厂商中微公司和北方华创分别占1.4%和0.9%。

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