国内最大碳化硅供应基地在山西投产,落成后年产值可达百亿

2019-12-25

投资50亿元,建设用地约1000亩的中国电科(山西)电子信息科技创新产业园即将在山西转型综改示范区投产。据人民网报道,该项目计划用5年时间,建成“一中心三基地”,即:中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)三代半导体技术创新中心、中国电科(山西)光伏新能源产业基地。项目达产后,预计形成产值100亿元。




通过吸引上游企业,形成产业聚集效应,打造电子装备制造、三代半导体产业生态链,建成国内最大的碳化硅材料供应基地,积极推动山西经济的转型升级。


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碳化硅和氮化镓是下一代功率半导体的核心技术方向。碳化硅器件的效率、功率密度等性能远远高于当前市场主流产品。碳化硅相对硅器件的优势相比硅基器件,碳化硅器件具备高耐压、低损耗、高效率的特点,是理想的功率管理元件工作频率高:硅基IGBT一般工作在20Khz的频率,而碳化硅基MOSFET在100Khz频率下依然能够保持高效率的运转耐受温度高:碳化硅基器件能够耐受更高的工作温度,硅基IGBT最多在150-200度工作,而碳化硅基MOSFET在200-250度依然能够正常工作效率高:碳化硅器件的开关损耗及导通损耗大幅降低。一般开关损耗是硅器件的15-30%,大幅提升能源的利用效率。总结起来,碳化硅最核心的优势有两方面,一是开关损耗小、导通损耗小,因而能源利用效率远远高于硅器件,损耗仅仅为同等硅器件的15 %-30%;二是模块尺寸小。由于碳化硅芯片能工作在更高的频率,与之配套的外围电容电感尺寸大幅缩小,碳化硅模块的尺寸往往仅仅为硅器件模块的1/5。




目前碳化硅器件主要用于600伏及以上的应用领域,特别是一些对能量效率和空间尺寸要求较高的应用,如电动汽车充电装置、电动汽车动力总成、光伏微型逆变器领域等应用。




根据法国知名电子供应链市场研究机构Yole数据,预计到2020年全球SiC应用市场规模将达到5亿美元,而到2022年市场规模将会进一步达到10亿美元,其中2016-20年的复合增速为28%,同时随着下游电动车产业驱动,2020-22年的复合增速将达到40%。




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国内最大碳化硅供应基地在山西投产,落成后年产值可达百亿
2019-12-25

投资50亿元,建设用地约1000亩的中国电科(山西)电子信息科技创新产业园即将在山西转型综改示范区投产。据人民网报道,该项目计划用5年时间,建成“一中心三基地”,即:中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)三代半导体技术创新中心、中国电科(山西)光伏新能源产业基地。项目达产后,预计形成产值100亿元。




通过吸引上游企业,形成产业聚集效应,打造电子装备制造、三代半导体产业生态链,建成国内最大的碳化硅材料供应基地,积极推动山西经济的转型升级。


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碳化硅和氮化镓是下一代功率半导体的核心技术方向。碳化硅器件的效率、功率密度等性能远远高于当前市场主流产品。碳化硅相对硅器件的优势相比硅基器件,碳化硅器件具备高耐压、低损耗、高效率的特点,是理想的功率管理元件工作频率高:硅基IGBT一般工作在20Khz的频率,而碳化硅基MOSFET在100Khz频率下依然能够保持高效率的运转耐受温度高:碳化硅基器件能够耐受更高的工作温度,硅基IGBT最多在150-200度工作,而碳化硅基MOSFET在200-250度依然能够正常工作效率高:碳化硅器件的开关损耗及导通损耗大幅降低。一般开关损耗是硅器件的15-30%,大幅提升能源的利用效率。总结起来,碳化硅最核心的优势有两方面,一是开关损耗小、导通损耗小,因而能源利用效率远远高于硅器件,损耗仅仅为同等硅器件的15 %-30%;二是模块尺寸小。由于碳化硅芯片能工作在更高的频率,与之配套的外围电容电感尺寸大幅缩小,碳化硅模块的尺寸往往仅仅为硅器件模块的1/5。




目前碳化硅器件主要用于600伏及以上的应用领域,特别是一些对能量效率和空间尺寸要求较高的应用,如电动汽车充电装置、电动汽车动力总成、光伏微型逆变器领域等应用。




根据法国知名电子供应链市场研究机构Yole数据,预计到2020年全球SiC应用市场规模将达到5亿美元,而到2022年市场规模将会进一步达到10亿美元,其中2016-20年的复合增速为28%,同时随着下游电动车产业驱动,2020-22年的复合增速将达到40%。




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