总投资10亿,我国又一成果填补芯片领域空白

2020-04-26

经济日报消息:由中科院高能物理研究所与山东枣庄市山亭区国有企业合作投资的中科院高能物理研发平台项目,目前正紧锣密鼓推进中。该项目建成投产后,相关产品将填补国内硅基辐射探测领域的芯片空白,广泛应用于高能物理、航天、核工业、环保、医疗等领域。




按照计划,该项目总投资10亿元,分两期建设。其中,一期建设的中科院高能所山亭联合研发平台,是面向射线与粒子探测等前沿技术的科技成果转化平台,拥有多项自主知识产权,其中硅基半导体辐射探测器工艺核心技术性能指标达到国际先进水平。


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总的来看,我国芯片产业的发展大致可分为四个阶段,分别是1956-1978年自力更生的初创期、1979-1989年改革开放后的探索发展期、1990-1999年重点建设时期、2000年以来的快速发展时期。




2000年以来,我国的芯片产业进入了快速发展时期。在该时期内,国家及各级政府从财税、投融资环境、研究开发、进出口、人才等几个方面在国内市场加大了对芯片和相关软件产业的扶持力度,这些举措进一步优化了芯片产业发展环境,培育了一批具有实力和影响力的企业。




根据IC  Insights的报告,2018年底中国大陆的晶圆厂产能236.1万片/月,占全球的12.5%,比2017年底的10.8%增加了1.7个百分点。2018年中国本土制造的芯片价值量约占本土销售额的15%,到2023年可能提升至20%。随着全球半导体产业链向中国的转移,抓住国内客户是国产设备企业实现突破的第一步。




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总投资10亿,我国又一成果填补芯片领域空白
2020-04-26

经济日报消息:由中科院高能物理研究所与山东枣庄市山亭区国有企业合作投资的中科院高能物理研发平台项目,目前正紧锣密鼓推进中。该项目建成投产后,相关产品将填补国内硅基辐射探测领域的芯片空白,广泛应用于高能物理、航天、核工业、环保、医疗等领域。




按照计划,该项目总投资10亿元,分两期建设。其中,一期建设的中科院高能所山亭联合研发平台,是面向射线与粒子探测等前沿技术的科技成果转化平台,拥有多项自主知识产权,其中硅基半导体辐射探测器工艺核心技术性能指标达到国际先进水平。


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总的来看,我国芯片产业的发展大致可分为四个阶段,分别是1956-1978年自力更生的初创期、1979-1989年改革开放后的探索发展期、1990-1999年重点建设时期、2000年以来的快速发展时期。




2000年以来,我国的芯片产业进入了快速发展时期。在该时期内,国家及各级政府从财税、投融资环境、研究开发、进出口、人才等几个方面在国内市场加大了对芯片和相关软件产业的扶持力度,这些举措进一步优化了芯片产业发展环境,培育了一批具有实力和影响力的企业。




根据IC  Insights的报告,2018年底中国大陆的晶圆厂产能236.1万片/月,占全球的12.5%,比2017年底的10.8%增加了1.7个百分点。2018年中国本土制造的芯片价值量约占本土销售额的15%,到2023年可能提升至20%。随着全球半导体产业链向中国的转移,抓住国内客户是国产设备企业实现突破的第一步。




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