据西安晚报报道，12月10日，三星电子闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。据悉，三星电子一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目；二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片。

其中，二期项目第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工。二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

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NAND FLASH内部依靠存储颗粒实现存储，里面存放数据的最小单位叫cell。每个储存单元内储存1个信息位（bit），称为单阶储存单元（SLC），SLC闪存的优点是传输速度更快，功率消耗更低和储存单元的寿命更长，成本也就更高。每个储存单元内储存2个bit，称为多阶储存单元（MLC），与SLC相比，MLC成本较低，其传输速度较慢，功率消耗较高和储存单元的寿命较低。每个储存单元内储存3个bit称为三阶储存单元（TLC），存储的数据密度相对MLC和SLC更大，所以价格也就更便宜，但使用寿命和性能也就更低。由于存储数据量的不用，导致SSD从可擦写次数、读取时间、编程时间、擦写时间存在差异。

从工艺上看，NAND Flash可以分为2D工艺和3D工艺，传统的2D工艺类似于“一张纸”，但“一张纸”的容量是有瓶颈的，三星、英特尔、美光、东芝四家闪存大厂为了满足大容量终端需求，均开始研发多层闪存（3D NAND Flash），英特尔和美光引入市场的3D Xpoint是自NAND Flash推出以来，最具突破性的一项存储技术，它通过单层存储器堆叠突破了2D NAND存储芯片容量的极限，大幅提升了存储器容量，因此技术3D NAND具备了四个优势：一是比2D NAND Flash快1000倍；二是成本只有DRAM的一半；三是使用寿命是2D NAND的1000倍；四是密度是传统存储的10倍。

自2013年8月三星率先宣布成功推出3D NAND之后，在技术上每年都会前进一步，由24层、32 层、48 层，目前已进入到64层和72层。据AMAT数据，全球晶圆厂就支出成长率来看，最大成长动力来自3D NAND。3D NAND 最大的需求来源于智能移动终端和电脑SSD需求，随着4K、VR、AR、AI、5G等新兴技术的不断推出，物联网时代的来临对存储器容量及读写速度要求越来越高。未来多家厂商逐渐量产，3D NAND将逐渐成为NAND闪存主流。根据IBS预测3D NAND市场将由2015年7.1%提升至2025年的98.2%，市场规模将达到685亿美元。目前3DNAND市场基本被三星、东芝、美光、SK海力士等垄断。

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