1月7日消息，据中国台湾媒体报道，三星电子降价策略奏效，高通再次向三星电子下订单。报道称，高通再向三星下订单，将采用三星最新的6nm工艺生产芯片。不过供应链消息称，三星虽然号称6nm，其效能仍低于台积电的7nm。高通去年将订单交给台积电，现在又再度释单三星，应是三星降价抢单策略奏效，后续对晶圆代工价格的影响，值得关注。

另外，还有韩国媒体报道，三星已经运用极紫外光(EUV)技术，开始量产6nm制程，以缩小与台积电在晶圆代工技术的差距。报道还引述一名知情人士消息称，6nm产品要交给北美的大企业客户。高通是台积电前五大客户，不过台积电向来不评论单一客户与订单动态。另外有分析称，三星接获高通6纳米芯片订单，应是台积电先进制程供应吃紧，订单外溢所致，对台积电不致造成威胁。

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总的来看，我国芯片产业的发展大致可分为四个阶段，分别是1956-1978年自力更生的初创期、1979-1989年改革开放后的探索发展期、1990-1999年重点建设时期、2000年以来的快速发展时期。

自2000年以来，我国的芯片产业进入了快速发展时期。在该时期内，国家及各级政府从财税、投融资环境、研究开发、进出口、人才等几个方面在国内市场加大了对芯片和相关软件产业的扶持力度，这些举措进一步优化了芯片产业发展环境，培育了一批具有实力和影响力的企业。

芯片生产大体可分为硅片制造、芯片制造和封装测试三个流程，其中硅片制造和芯片制造两个环节具有极高技术壁垒：硅片制造即将石英砂原料进行冶炼、提纯、拉单晶、切磨抛等工艺加工制得电子级硅片；芯片制造可分为前道和后道工艺，随着制程发展目前工序数最多已经超过1300道，前道工艺主要是进行晶体管的制备，核心工艺包括外延、清洗、热处理氧化、光刻、刻蚀、离子注入以及退火等工艺；后道工艺主要是形成金属互连层，核心工艺包括光刻、气相沉积（CVD/PVD等）、机械研磨等工艺。

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